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| Artikel-Nr.:
3794E-1684582 Herst.-Nr.:
IXGN320N60A3 EAN/GTIN:
5059041354387 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 320 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 735 W
Gehäusegröße = SOT-227B
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 5kHz
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Abmessungen = 38.23 x 25.07 x 9.6mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, IXYS Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 320 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 735 W | Gehäusegröße: | SOT-227B | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 4 | Schaltgeschwindigkeit: | 5kHz | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter | Abmessungen: | 38.23 x 25.07 x 9.6mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1684582, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, IXYS, IXGN320N60A3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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