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| Artikel-Nr.:
3794E-1684791 Herst.-Nr.:
MMIX1T600N04T2 EAN/GTIN:
5059041361637 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SMPD
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 24
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 830 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 5.7mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 600 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SMPD | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 24 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 830 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 5.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, 1684791, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, MMIX1T600N04T2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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