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| Artikel-Nr.: 3794E-1687516 Herst.-Nr.: STP60NF10 EAN/GTIN: 5059042355574 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.6mm Höhe = 15.75mm
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 23 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.6mm | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 80a, 1687516, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP60NF10, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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