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| Artikel-Nr.:
3794E-1687519 Herst.-Nr.:
STP80NF12 EAN/GTIN:
5059042344639 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.6mm
Höhe = 15.75mm
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 18 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.6mm | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 80a, 1687519, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP80NF12, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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