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STMicroelectronics MDmesh M5 STD16N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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STMicroelectronics MDmesh M5 STD16N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     3794E-1687560
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD16N65M5
EAN/GTIN:
     5059042325782
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 279 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 6.2mm
Höhe = 2.4mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
279 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
90 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Breite:
6.2mm
Höhe:
2.4mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet dpak, smd transistor, stm mosfet, 1687560, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD16N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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