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| Artikel-Nr.:
3794E-1687919 Herst.-Nr.:
BCR133E6327HTSA1 EAN/GTIN:
5059043365121 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 10 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Widerstandsverhältnis = 1
Digitale Transistoren mit Doppelwiderstand, Infineon. Eine Serie von Transistoren mit bipolarer Sperrschicht von Infineon mit integrierten Widerständen, durch die die Geräte direkt und ohne zusätzliche Komponenten von digitalen Quellen aus betrieben werden können. Geräte mit Zweifachwiderstand besitzen einen Reihenwiderstand am Eingang sowie einen Widerstand zwischen der Transistorbasis und dem Emitter. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 10 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Widerstandsverhältnis: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor sot-23, 1687919, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Infineon, BCR133E6327HTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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