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| Artikel-Nr.:
3794E-1688959 Herst.-Nr.:
STP130N6F7 EAN/GTIN:
5059042334852 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.6mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics. Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 160 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.6mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 1688959, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP130N6F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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