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| Artikel-Nr.: 3794E-1697498 Herst.-Nr.: DMN6070SSD-13 EAN/GTIN: 5059043771878 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Verlustleistung max. = 1,5 W Transistor-Konfiguration = Isoliert Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 3.95mm Höhe = 1.5mm
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.95mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1697498, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN6070SSD13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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