| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1704866 Herst.-Nr.: PEMH9,115 EAN/GTIN: 5059043765488 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-666 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 200 mW Transistor-Konfiguration = Dual Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Widerstandsverhältnis = 4,7
Platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen. Durch die Kombination von Transistoren mit den damit verbundenen Widerständen sind RETs hervorragende Platz- und kostensparende Lösungen.±10 % Widerstand-Verhältnistoleranz Verringert die Bestückungskosten Integrierte Vorwiderstände Verringert die Anzahl an Bauelementen Ausgangsstrombelastbarkeit von 100 mA, 500 mA und bis zu 800 mA Vereinfacht den Schaltungsaufbau Typische Anwendungsbereiche Steuerung von IC-Eingängen Digitalsysteme Schalten von LastenDoppelwiderstandsbestückte NPN/NPN-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mA Integrierte Vorwiderstände Vereinfacht den Schaltungsaufbau Verringert die Anzahl an Bauelementen Verringert die Bestückungskosten Anwendungsbereiche Peripherie-Treiber mit niedriger Stromaufnahme Steuerung von IC-Eingängen Ersetzt Universaltransistoren in digitalen Anwendungen Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-666 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Widerstandsverhältnis: | 4,7 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 1704866, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PEMH9,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |