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Nexperia BC807-40,235 SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, TO-236 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1707958
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BC807-40,235
EAN/GTIN:
     5059043829081
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor pnp
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V
Gehäusegröße = TO-236
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Gleichstromverstärkung min. = 250
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –50 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3 x 1.4 x 1mm

Kleine, platzsparende Lösungen. In unserem Portfolio von über 300 starken Kleinsignal-Bipolargeräten finden Sie viele einzelne PNP-Transistoren. Ideal für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen mit Gehäuseoptionen wie z. B. unserem extrem kleinen, kabellosen Gehäuse SOT883, welches eine ausgezeichnete Wahl für kompakte Bauweisen ist.Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101)Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen GehäuseoptionenVielzahl an doppelten und einfachen FunktionenMehr als 300 verschiedene ProdukteAnwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und VerstärkungsanwendungenPNP-UniversaltransistorenStarkstromNiederspannungZielanwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
–500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung:
–45 V
Gehäusegröße:
TO-236
Montage-Typ:
SMD
Verlustleistung max.:
250 mW
Gleichstromverstärkung min.:
250
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
–50 V
Basis-Emitter Spannung max.:
–5 V
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Abmessungen:
3 x 1.4 x 1mm
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1707958, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, BC80740,235, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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