|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1711963 Herst.-Nr.:
BSC070N10NS5ATMA1 EAN/GTIN:
5059043822136 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 10,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.1mm
Der Infineon BSC070N10NS5 ist der 100-V-OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET in TOLL. Dieser MOSFET ist für synchrone Gleichrichtung optimiert und ideal für hohe Schaltfrequenz. Dieser MOSFET hat höchste Systemeffizienz und reduzierte Schalt- und Leitungsverluste.Optimiert für Hochleistungs-SMPS 100%ig auf Stoßentladung geprüft Überlegener Wärmewiderstand N-Kanal Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | TDSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.2V | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 1711963, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC070N10NS5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |