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| Artikel-Nr.:
3794E-1719766 Herst.-Nr.:
RU1L002SNTL EAN/GTIN:
5059043793290 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SC-85, SOT-323FL, UMT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SC-85, SOT-323FL, UMT | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor, sc transistor, 1719766, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RU1L002SNTL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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