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ROHM RSH070N05 RSH070N05GZETB N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 7 A 2 W, 8-Pin SOP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1719923
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RSH070N05GZETB
EAN/GTIN:
     5059043554334
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 45 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.4-V-Antriebstyp P-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFET Schnelle Schaltgeschwindigkeit Kleines SMD-Gehäuse Bleifrei
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
7 A
Drain-Source-Spannung max.:
45 V
Gehäusegröße:
SOP
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
35 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor, 1719923, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RSH070N05GZETB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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