onsemi NTH027N65S3F NTH027N65S3F-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = NTH027N65S3F

Diese PIN-Diode wurde für Kompaktheit und Effizienz entwickelt. Zwei PIN-Dioden sind in einem SC-70-Gehäuse integriert. Die Verwendung von zwei PIN-Dioden können sowohl Systemkosten als auch Platz auf der Platine verringern. Diese PIN-Diode ist PPAP-fähig für den Einsatz in der Automobilindustrie.PPAP-fähigGeeignet für AutomobilanwendungenBleifrei und halogenfreiUmweltschutzaspekteSerielle Verbindung von 2 Elementen in einem kleinen GehäuseErhebliche Verbesserung der Montageeffizienz.MCP3-Gehäuse ist anschlusskompatibel mit SC-70Austausch von SC-70 ist möglichGeringe Interterminal-Kapazität (C = 0,23 pF typ.)Geeignet für Pegel-DetektorGeringer vorwärts gerichteter Serienwiderstand (rs = 4,5 Ω max.)Geeignet für UHF-BandAutomatischer Videoverstärker mit Verstärkungsregelung für AutomobilfunkantenneAutomobilantenneAutomobilradioempfänger