onsemi FCH023N65S3L4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 15.8mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC