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| Artikel-Nr.: 3794E-1728785 Herst.-Nr.: NTMFS6H801NT1G EAN/GTIN: 5059042532432 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 157 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 4,4 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 166 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Länge = 6.1mm Betriebstemperatur min. = –55 °C
Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 5x6mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) Kompaktes Design Niedriger RDS (EIN) Minimiert Leitungsverluste Niedrige QG und Kapazität Minimiert Treiberverluste Anwendungsbereich Schaltnetzteile Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) 48-V-Systeme Motorsteuerung Lastschalter DC/DC-Konverter Synchroner Gleichrichter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 157 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 166 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Länge: | 6.1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1728785, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMFS6H801NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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