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| Artikel-Nr.:
3794E-1784308 Herst.-Nr.:
NVMFS6H801NT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 157 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 166 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.1mm
Höhe = 1.05mm
On SemiconductorDer on Semiconductor DFN5 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 2,8 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen maximalen Dauerstrom von 157 A und eine maximale Verlustleistung von 166 W. Die Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.Eigenschaften und Vorteile• KFZ-Leistungs-MOSFET • Kompakte und effiziente Bauweise • Hohe Wärmeleistung • bleifrei (Pb) • Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten • Niedriger RDS (ein) zur Minimierung von Leitungsverlusten • Minimiert Treiberverluste • Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C. • Option für benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion erhältlichAnwendungen• DC/DC-Wandler • Lastschalter • Motorsteuerung • Netzschalter (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) • SchaltnetzteileZertifizierungen• AEC-Q101 • ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 157 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 166 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 6.1mm | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1784308, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS6H801NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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