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| Artikel-Nr.:
3794E-1776748 Herst.-Nr.:
RJ1L08CGNTLL EAN/GTIN:
5059045467854 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-263AB
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 96 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 9.2mm
Höhe = 4.7mm
Der RJ1G08CGN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem On-Widerstand und einem kleinen gegossenen Hochleistungsgehäuse (LPTL), für Schaltanwendungen geeignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandKleines vergossenes HochleistungsgehäuseBleifreie LeitungsbeschichtungHalogenfrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-263AB | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 96 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 9.2mm | Höhe: | 4.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 1776748, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RJ1L08CGNTLL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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