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| Artikel-Nr.:
3794E-1784625 Herst.-Nr.:
NVMFS5C456NT1G EAN/GTIN:
5059045289357 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 55 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.1mm
Höhe = 1.05mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 55 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 6.1mm | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 1784625, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS5C456NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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