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| Artikel-Nr.:
3794E-1785717 Herst.-Nr.:
IMX25T110 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 300 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 20 V
Gehäusegröße = SOT-457
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 820
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V
Basis-Emitter Spannung max. = 25 V
Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Geräte mit zwei Transistoren sind in ultrakompakten Gehäusen erhältlich und eignen sich für verschiedene Anwendungen, wie z. B. Differenzverstärkerschaltungen für Vorverstärker, Hochfrequenzoszillatoren, Treiber-ICs usw.Ultra-kompakter komplexer Bipolar-Transistor Für Vorverstärker Kleines SMD-Gehäuse Bleifrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 300 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-457 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 820 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 25 V | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 1785717, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, ROHM, IMX25T110, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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