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| Artikel-Nr.:
3794E-1827260 Herst.-Nr.:
DMN1008UFDF-7 EAN/GTIN:
5059045314417 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = U-DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 12,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 1,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.58mm
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe Leiterplattenmaß von 4 mm² Niedrige Gate-Schwellenspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät Anwendungen Batterieüberwachungsanwendungen Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | U-DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 1,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.58mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 1827260, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN1008UFDF7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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