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| Artikel-Nr.:
3794E-1841071 Herst.-Nr.:
NTZD3154NT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 540 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 250 mW
Gate-Source Spannung max. = ±7 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 1,5 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 540 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 250 mW | Gate-Source Spannung max.: | ±7 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 1,5 nC @ 4,5 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 1841071, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTZD3154NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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