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| Artikel-Nr.:
3794E-1841479 Herst.-Nr.:
SMMBT4401LT1G EAN/GTIN:
5059045659198 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 225 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der bipolare NPN-Transistor wurde für den Einsatz in linearen und Schaltanwendungen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-23-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.Niedriger rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Batterielebensdauer Miniatur-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platinenplatz Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 600 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 225 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1841479, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, SMMBT4401LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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