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| Artikel-Nr.:
3794E-1841495 Herst.-Nr.:
PZT751T1G EAN/GTIN:
5059045256953 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –2 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 800 mW
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.7 x 3.7 x 1.65mm
Dieser bipolare Hochstrom-PNP-Transistor wurde für den Einsatz in Industrie- und Verbraucheranwendungen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-223-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit mittlerer Leistung entwickelt wurde.Das SOT-223-Gehäuse kann mit Welle oder Reflow gelötet werden. Das SOT-223-Gehäuse sorgt für eine waagerechte Montage, was zu einer verbesserten Wärmeleitung führt und eine Visual Inspection von Lötverbindungen ermöglicht. Die geformten Kabel absorbieren thermische Belastungen beim Löten, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des Matrizes ausgeschlossen wird NPN-Ergänzung ist PZT651T1 Hoher Strom: 2,0 A Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –2 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 800 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 6.7 x 3.7 x 1.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1841495, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, PZT751T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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