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| Artikel-Nr.:
3794E-1844179 Herst.-Nr.:
BC856BDW1T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 380 mW
Gleichstromverstärkung min. = 220
Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Kleinsignal-PNP-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | -65 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 220 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 1844179, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC856BDW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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