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| Artikel-Nr.:
3794E-1844311 Herst.-Nr.:
MJD44H11-1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 20 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Leistungs- und Schaltausgänge oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt.Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (ohne Suffix) Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen (″-1″ Suffix) Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix ″T4″) Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere Hohe Schaltgeschwindigkeiten Komplementäre Paare Vereinfachen Designs Diese Geräte sind pbfrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V dc | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 20 W | Gleichstromverstärkung min.: | 60 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1844311, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD44H111G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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