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| Artikel-Nr.:
3794E-1844706 Herst.-Nr.:
BC807-25LT1G EAN/GTIN:
5059045828891 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 160
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –50 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Der PNP Bipolartransistor ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät befindet sich im Gehäuse SOT-23, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.Bleifreie Gehäuse sind verfügbar S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Anwendungen ESD-Schutz Polaritätsumkehrschutz Schutz der Datenleitung Induktiver Lastschutz Logik der Lenkung Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –45 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 160 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1844706, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC80725LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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