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| Artikel-Nr.:
3794E-1844959 Herst.-Nr.:
MJB44H11G EAN/GTIN:
5059045413349 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 50 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.29 x 9.65 x 4.83mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V dc | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 50 W | Gleichstromverstärkung min.: | 60 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1844959, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJB44H11G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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