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ROHM R6030JNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 370 W, 3-Pin TO-247G


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1851315
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6030JNZ4C13
EAN/GTIN:
     5059045650270
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247G
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 7V
Gate-Schwellenspannung min. = 5V
Verlustleistung max. = 370 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 21.25mm

R6030JNZ4 ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Rücklaufzeit (trr), geeignet für Schaltanwendungen.Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr) Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Einfache Antriebskreise möglich Pb-frei Beschichtung
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-247G
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
140 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
7V
Gate-Schwellenspannung min.:
5V
Verlustleistung max.:
370 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Höhe:
21.25mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, mosfet, rohm mosfet, 1851315, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6030JNZ4C13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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