Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 540 mW
Gleichstromverstärkung min. = 250
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = -7 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Niedrige VCE(sat) Bipolartransistoren sind oberflächenmontierte Miniaturgeräte mit extrem niedriger Sättigungsspannung VCE(sat) und hoher Stromverstärkung. Diese sind für den Einsatz in Anwendungen mit niedriger Spannung und hoher Geschwindigkeit konzipiert, bei denen eine kostengünstige effiziente Energiesteuerung wichtig ist.Hoher Strom, niedriger VCE(sat), ESD-stabil, hohe Stromverstärkung, hohe Abschaltfrequenz, flaches Gehäuse, lineare Verstärkung (Beta) NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Vorteile Verbesserte Schaltungseffizienz, verkürzte Ladezeit der Batterie, geringere Anzahl von Komponenten, High Frequency Switching, kleineres tragbares Produkt, keine Verzerrung Anwendungen Lastschaltung, Aufladen der Batterie, externer Passtransistor, DC/DC-Wandler, kostenloser Treiber, Stromverlängerung und Regelung für niedrigen Abfall, Antrieb für Leuchtstoffröhren, Treiber für Peripheriegeräte - LEDs, Motoren, Relais Weitere Informationen:  | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –40 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 540 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 250 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | -7 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|