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| Artikel-Nr.:
3794E-1867200 Herst.-Nr.:
NTGD4167CT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = TSOP
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,1 W
Transistor-Konfiguration = Dual
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Leistungs-MOSFET, komplementär, 30 V, +2,9/-2,2 A, TSOP-6 DualKomplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET Kleines TSOP-6-Gehäuse (3 x 3 mm) Spitzen-Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand Reduzierte Gate-Ladung zur Verbesserung der Schaltreaktion Unabhängig angeschlossene Geräte für Entwurfsflexibilität Anwendungen DC/DC-Wandlungsschaltungen Last-/Leistungsschaltung mit Pegelschaltung Endprodukte Mobiltelefon, PMP, DSC, GPS, tragbare Videospiele, PC, Drucker, Peripheriegeräte, DTV, Top Box und andere Computer- und digitale Verbraucherprodukte Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | TSOP | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,1 W | Transistor-Konfiguration: | Dual | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 1867200, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NTGD4167CT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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