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| Artikel-Nr.:
3794E-1867219 Herst.-Nr.:
UMZ1NT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 385 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Dual
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V dc
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 (SC-88) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 385 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Dual | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V dc | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, 1867219, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, UMZ1NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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