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| Artikel-Nr.:
3794E-1867385 Herst.-Nr.:
FDMC8462 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = PQFN
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 41 W
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced Power Trench®-Verfahren hergestellt, das speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde.Max. RDS(ein) = 5,8 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 13,5 A Max. RDS(ein) = 8,0 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 11,8 A Niedriges Profil - max. 1 mm bei Leistung 33 Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | PQFN | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 41 W | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, pqfn mosfet, 1867385, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FDMC8462, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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