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| Artikel-Nr.:
3794E-1867424 Herst.-Nr.:
NJV4030PT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V dc
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen bipolaren Leistungstransistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung eine Rolle spielt.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hohe DC-Stromverstärkung High-Current-Gain Bandwidth Produkt NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Vorteile Minimale Verlustleistung Sehr niedrige Stromanforderungen Ideal für Hochfrequenz-Designs Endprodukte Akkuladegeräte Tragbare Geräte Computerprodukte Anwendungen Spannungsregelung Energieverwaltung für tragbare Geräte Schaltregler Induktiver Lasttreiber Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | Kollektor-Emitter-Spannung: | –40 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V dc | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 1867424, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NJV4030PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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