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| Artikel-Nr.:
3794E-1867429 Herst.-Nr.:
NTHD3100CT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = ChipFET
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,1 W
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Power MOSFET Ergänzend, 20 V, +3,9 A/-4,4 A ChipFET™Komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET Kleine Größe, 40 % kleiner als TSOP-6-Paket Bleifreies SMD-Gehäuse bietet hervorragende thermische Eigenschaften Trench-P-Kanal für geringen Widerstand Low Gate Charge N-Kanal für Testschaltung Anwendungen DC/TODC-Konvertierungsschaltungen Load Switch-Anwendungen, die eine Ebenenumschaltung erfordern Kleine bürstenlose Gleichstrommotoren antreiben Ideal für Energieverwaltungsanwendungen in tragbaren, batteriebetriebenen Produkten Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | ChipFET | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,1 W | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, smd transistor, 1867429, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NTHD3100CT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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