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| Artikel-Nr.:
3794E-1867921 Herst.-Nr.:
FQD18N20V2TM EAN/GTIN:
5059045746171 |
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| Gehäusegröße = DPAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 83 W
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dieser N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET wird mit einer proprietären planaren Streifen- und DMOS-Technologie hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.15 A, 200 V, RDS(ein) = 140 mΩ (max.) bei VGS = 10 V, ID = 7,5 A Niedrige Gatterladung ( Typ. 20 nC) Niedrige Crss (Typ. 25 pF) Anwendungen LCD-TV PDP-TV LED-Fernseher Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | DPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 83 W | Pinanzahl: | 2 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1867921, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FQD18N20V2TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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