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| Artikel-Nr.:
3794E-1868461 Herst.-Nr.:
MMBT4401WT1G EAN/GTIN:
5059045768548 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 100
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 0.9mm
Der Bipolartransistor NPN ist für allgemeine Verstärkeranwendungen konzipiert. Er ist im Gehäuse SOT-323/SC-70 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1 ESD-Schutzart: Menschliches Karosseriemodell - 4 kV Maschinenmodell - 400 V Bleifreies Gehäuse erhältlich Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 600 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868461, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT4401WT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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