|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1868543 Herst.-Nr.:
FDMB3800N EAN/GTIN:
5059045751120 |
| |
|
| | |
| Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,6 W
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diese N-Kanal Logic Level MOSFETs werden mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte eignen sich hervorragend für Anwendungen mit niedriger Spannung und Batteriebetrieb, bei denen geringe Netzverluste und schnelles Schalten erforderlich sind.Max. RDS(ein) = 40 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 4,8 A Max. RDS(ein) = 51 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 4,3 a Schnelle Schaltgeschwindigkeit Niedrige Gatterladung Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige rDS(on) Hohe Leistung und Strombelastbarkeit. Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, smd transistor, 1868543, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FDMB3800N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |