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| Artikel-Nr.: 3794E-1868882 Herst.-Nr.: MSC2712GT1G EAN/GTIN: 5059045774860 |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SC-59 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 200 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 7 V dc Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SC-59 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1868882, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MSC2712GT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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