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| Artikel-Nr.:
3794E-1869370 Herst.-Nr.:
BC847BPDW1T3G EAN/GTIN:
5059045760252 |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 380 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Der zweifache NPN PNP Bipolartransistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Er ist im Gehäuse SOT-363/SC-88 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.Bleifreies Gehäuse erhältlich S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1869370, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC847BPDW1T3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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