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| Artikel-Nr.:
3794E-1884879 Herst.-Nr.:
SIHU4N80AE-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,44 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 62,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 2.38mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFET der Serie ENiedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige effektive Kapazität (Ciss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste ANWENDUNGEN Server- und Telekommunikations-Netzteile Schaltnetzteile (SNT) Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,44 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 62,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 2.38mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, 1884879, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHU4N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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