Bezeichnung=Leistungs-MOSFET der E-Serie, Typ=SIHU4N80AE-GE3, Abfallzeit=25 ns, Anstiegzeit=7 ns, Ausschaltverzögerung=12 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einschaltverzögerung=11 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=4.1 A, Leistungsverteilung (PV)=62.5 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=1.25 Ω, Bauform=I-PAK, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 0 mm | Net weight: | 0,500 g | Depth: | 0 mm | Gross weight: | 0,01 g | Width: | 0 mm |
|