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Vishay SiSHA14DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 26,5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
3794E-1884899

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SiSHA14DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 26,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	20 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	8 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.:	1.1V
Verlustleistung max.:	26,5 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	–16 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung:	1.1V

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 20a, 1884899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSHA14DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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