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| Artikel-Nr.:
3794E-1888437 Herst.-Nr.:
2STF2550 EAN/GTIN:
5059045841630 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,4 W
Gleichstromverstärkung min. = 110
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Die 2STF2550 und 2STN2550 sind PNP-Transistoren, die mit der neuen ″PB-HCD″-Technologie (Power bipolar High Current Density) hergestellt werden. Der resultierende Transistor zeigt außergewöhnliche hohe Verstärkungsleistungen bei sehr niedriger Sättigungsspannung.Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit Hohe Stromverstärkungskennlinie SMD-Bauelemente in SOT-89- und SOT-223-Gehäusen mit mittlerer Leistung Anwendungen Notfallbeleuchtung LED Hauptplatine und Festplatte Mobile Geräte Ladegerät Spannungsregelung Anwendungen Notfallbeleuchtung LED Hauptplatine und Festplatte Mobile Geräte Ladegerät Spannungsregelung Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -10 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –50 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,4 W | Gleichstromverstärkung min.: | 110 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, stmicroelectronics transistor, 1888437, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, STMicroelectronics, 2STF2550, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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