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| Artikel-Nr.:
3794E-1924849 Herst.-Nr.:
STL13N60M6 EAN/GTIN:
5059045389149 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 5 x 6 HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 415 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 52 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.95mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerFLAT 5 x 6 HV | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 415 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 52 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, 1924849, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STL13N60M6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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