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| Artikel-Nr.:
3794E-2006787 Herst.-Nr.:
SQD50034EL_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 Ω, 0,0052 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Der Vishay SQD50034EL_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-60-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.TrenchFET® Leistungs-MOSFET Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand 100 % Rg- und UIS-getestet AEC-Q101-qualifiziert Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,004 Ω, 0,0052 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 2006787, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQD50034EL_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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