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VISHAY SQD50034EL_GE3 MOSFET, N-CHANNEL 250 V DPAK TO-252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-3224962
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQD50034EL_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 107 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQD50034EL_GE3, 3224962, 322-4962
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