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| Artikel-Nr.: 3794E-2006841 Herst.-Nr.: SIJ150DP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0041 Ω, 0,00283 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = TrenchFET® Gen IV Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 45 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8L | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0041 Ω, 0,00283 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TrenchFET® Gen IV |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 11a mosfet, 2006841, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIJ150DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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