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| Artikel-Nr.:
3794E-2025692 Herst.-Nr.:
NTBGS4D1N15MC EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 185 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = NTB
Der on Semiconductor Single N-Kanal-MOSFET läuft mit 185 Ampere und 150 Volt. Er kann in Elektrowerkzeugen, batteriebetriebenen Staubsaugern, UAV/Drohnen, Materialhandhabung, BMS/Lagerung, Heimautomatisierung verwendet werden.Niedriger Ablass zur Quelle im Widerstand Verringert Schaltgeräusche Bleifrei Halogenfrei RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 185 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,004 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | NTB |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet d2pak, 2025692, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTBGS4D1N15MC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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