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| Artikel-Nr.:
3794E-2025748 Herst.-Nr.:
NVMFS6H824NLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = NVM
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET läuft mit 110 Ampere und 80 Volt. Er hat eine kleine Abmessung für kompakte Bauweise mit geringem RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren.AEC Q101-zertifiziert RoHS-konform Bleifrei Benetzbare Flankenoption Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,004 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | NVM |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet 110a, 2025748, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS6H824NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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